传中国实现国产DUV曝光机 可生产8奈米及以下芯片

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中国工信部近日公布一项通知显示,中国已取得重大技术突破,研发出深紫外光曝光机(DUV),可生产8奈米及以下晶片,目前正在推广应用。

中国工业和信息化部官网9日公布“首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)”的通知,下发地方要求加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

中国工信部称,重大技术装备是国之重器,事关综合国力和国家安全。 “中国首台(套)重大技术装备”是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品,包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

这份目录显示,在积体电路生产装备,其中一项是“氟化氩光刻机”(DUV曝光机),核心技术指标是“晶圆直径300mm,照明波长248nm,分辨率≦65nm,套刻≦8nm”。这也代表,这台国产DUV可生产8奈米及以下晶片。

尚无中国官方与厂商宣布这项消息

中国大陆科技自媒体星期六(9月14日)转发消息后称,中国自己的DUV曝光机终于来了,虽然与荷兰阿斯麦(ASML)曝光机存在代差,至少己填补空白,可控可用,期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机(EUV)。

美国9月5日才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制,荷兰政府隔天跟进,宣布扩大限制半导体制造设备出口,。

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路透社报导,ASML的1970i和1980i深紫外光曝光机(DUV)输出中国会受到影响,两款机型大约是ASML所属DUV产品线的中阶位置。

中国若实现国产8奈米及以下制程DUV,未来绝大多数芯片制造,将不用受制于ASML。不过,截至目前,尚无中国官方与厂商宣布这项消息。

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