三星计划2027年量产1.4纳米芯片
三星电子公布最先进芯片工艺的制造目标，即2024年启动第三代3纳米制程量产，2025年前能量产先进的2纳米技术芯片，到2027年量产1.4纳米芯片。
三星芯片代工部门周一（3日）于加州举办的三星晶圆代工论坛中，宣布将在未来5年内将製程技术推进至1.4nm规格，并且预计在2027年将晶圆代工业务营收增加为2021年的3倍。
这表示，三星将在当前3纳米工艺基础上继续推进芯片制造的先进水平。
今年6月，三星宣布已开始大规模生产3纳米芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的公司。
三星指出，尽管当前全球经济遭遇逆风，但仍计划5年后将先进芯片产能增加两倍以上，以满足强劲的需求。
值得一提的是，台积电之前表示，将于今年晚些时候开始大规模生产3纳米芯片，随后将推出其他工艺变种，到2025年，台积电也将进入2纳米工艺领域，但没有公布此后的具体计划。
三星能否与台积电抗衡 取决其技术跟进能力
目前，台积电在芯片代工市场的份额遥遥领先三星，后者大部分利润来自存储芯片销售，而不是代工业务。
因此，三星此举被喻为紧跟台积电的步伐，但能否与台积电抗衡，还取决于三星的技术跟进能力。
具体数据来看，台积电在今年8月底宣布，2纳米制程将于2025年量产，市场人士认为，由于台积电技术领先，在芯片品质与进度仍领先三星。
此外，三星也预测，到2027年，三星规划先进制程产能将比今年扩产3倍以上，除了德州泰勒(Taylor)的最新晶圆厂，还有4个晶圆代工据点，分别位于美国奥斯汀以及韩国器兴、华城与平泽。
在产能投资方面，三星宣称，无论市况如何，都会优先打造无尘室，无尘室准备好后，晶圆制造设备即可再安装，主要还是要看未来需求弹性设置。
在此次论坛中，三星电子晶圆代工事业执行副总裁康文秀 (Moon-soo Kang)表示，为了能在2027年实现进入1.4纳米制程技术发展，三星将在诸多半导体技术取得飞跃式进展，并且在美国扩大晶圆代工业务发展。
“除了计划在2027年进入1.4纳米制程技术发展，三星更宣布将强化其环绕式闸极 (gate-all-around,GAA)技术，在第二代设计中，将比第一代设计让晶体管尺寸缩减20%，借此在晶圆面积内放入更多电晶体管，同时也能提高晶圆每单位功率运作效率。”
另外，三星也透露将在2025年让2纳米制程技术进入量产，借此提高晶圆量产制作能力。
目前三星也计划积极争取美国境内晶圆代工市场，除了在德州奥斯汀的工厂，目前也计画在邻近泰勒市兴建全新工厂，预计在2024年开始运作，并且计划以最新3纳米制程技术提供代工量产资源。
