涉嫌泄露半导体技术前三星职员被批捕

韩国法院星期五（12月15日）发出逮捕令，允许当局逮捕一名前三星电子职员——“金某”。

这名职员被控将半导体技术信息泄露给长鑫存储技术有限公司，一家中国领先的DRAM芯片制造商。

基于怀疑这名职员将18纳米DRAM存储芯片技术信息，泄露给长鑫存储的理由，检察官于上周三申请发出逮捕令。据路透社报导，技术泄密造成的损失可能高达2.3兆亿韩元。该案还涉及三星电子供应商旗下数十人。

2016年离开三星跳槽长鑫存储

这名职员于2016年离开三星加入长鑫存储。检察机关和法院都拒绝评论，他是否仍在长鑫存储任职。检察机关也拒绝评论技术泄密的报告损失程度。

根据韩联社报导，检方认为，金某等人2016年跳槽到长鑫存储时不仅转让了半导体“沉积技术”相关资料，还泄露了其他7个核心技术资料，并以此收受数百亿韩元的财物。

这是韩国打击工业间谍活动的最新举措。

此前一名前三星职员正接受审判，被控窃取公司信息以帮助一客户在中国建立芯片工厂。被告韩国芯片专家崔珍奭（Choi Jinseog）否认指控，目前已获保释。